(서울=연합인포맥스)21일오후2시현재인도SENSEX지수는전장대비681.28포인트(0.94%)상승해72,782.97을나타냈다.

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삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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▲09:002차관의사집단행동중앙재난안전대책본부회의(비공개)

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첨단패키징의관건은공정과소재로꼽힌다.이런점에서삼성전자가AVP거점을일본으로낙점한이유를유추할수있다.일본은전통적인소재·부품·장비강국으로,현지에서연구·개발(R&D)을보다용이하게할수있다는강점이있다.

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시장에미치는영향력이큰인물인크리스토퍼월러이사도뉴욕연은과비슷한생각을가지고있음을내비친적이있다.월러이사는지난1월브루킹스연구소대담에서"10~11%(NGDP대비지준비율을지칭)가합리적인숫자일것"이라면서그정도레벨에서QT속도를늦출수있다고말했다.

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※예비유니콘기업현장방문(예산실장)(15:00)

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