(서울=연합인포맥스)김경림기자=차세대고대역폭메모리HBM(HBM3E)시장을두고SK하이닉스와삼성전자의신경전이치열하다.

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삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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특히지난18일과전일이틀간은각각2만2천여계약,1만8천여계약으로매도세가더욱강했다.

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앞선업계관계자는"지난해말부터현재까지국고채금리가3.2%~3.4%대를오갔다는점에서아직까진기관들이용인할수있는수준"이라며"하지만해당지표가3.4%수준을눈앞에둔상황이라이를넘어설경우투자시장분위기가달라질수있다"고내다봤다.

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그는"당분간금가격이강세를보이기는어렵겠지만,또동시에갑작스러운투매가발생할것으로생각하지는않는다"며"금에대한실물시장이여전히강하고,포지션이강세로쏠려있기때문"이라고설명했다.

장중에는엔화약세가두드러졌다.달러-엔환율은151엔대로연고점을썼다.전일일본은행(BOJ)은17년만에금리를인상했다.다만마이너스(-)금리정책을마무리해도완화적인금융여건을유지하기로한실망감이엔화를약세로이끌었다.