삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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이원장은금융권은정리·재구조화활성화를위해금융지주계열사등을중심으로모범사례를계속만들어나가야한다며금융권정상화지원펀드의조성규모확대도고려할필요가있다고덧붙였다.

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