(서울=연합인포맥스)김경림기자=차세대고대역폭메모리HBM(HBM3E)시장을두고SK하이닉스와삼성전자의신경전이치열하다.

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고후보는서울태생으로서울경성고·성균관대를졸업했고1984년삼성전자에입사해유럽연구소장,무선사업부개발실장,무선사업부문장(사장)등을거쳤다.

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조전부회장은유상증자참여,보수성격의자사주수령을제외하고도지난2020년3월장내에서미래에셋증권주식5천주를사들였다.

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다만이코노미스트지는일본의펀더멘털을살펴보면실질적으로금리는하락세라고분석했다.BOJ가곧달성할수있을것으로예상하는물가상승률2%는2021년말까지십년간평균인플레이션보다1.4%포인트높다.인플레이션기대치가1.4%포인트상승했으나금리는0.2%포인트오른것이므로실질금리는내려간것이라는설명이다.

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아울러인플레이션압력이커지며기준금리인하기대감이약화되고있다는것도하락재료로작용했다.첫금리인하시점으로예상됐던6월금리인하가능성은최근50%수준까지떨어졌다.

SK하이닉스의이러한선제공격에,삼성전자는업계최초로D램칩을12단까지쌓은HBM3E실물을GTC에서전시했다.